APT13003SZTR-G1 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Box (TB)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.1W
Исполнение корпуса	TO-92
Тип транзистора	NPN
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	1.3A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	450V
Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic	1.2V @ 250mA, 1A
Обратный ток коллектора (Max)	-
Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce	5 @ 1A, 2V
Трансформация частоты	4MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Box (TB)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.1W
Исполнение корпуса	TO-92
Тип транзистора	NPN
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	1.3A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	450V
Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic	1.2V @ 250mA, 1A
Обратный ток коллектора (Max)	-
Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce	5 @ 1A, 2V
Трансформация частоты	4MHz

APT13003SZTR-G1

APT13003SZTR-G1 характеристики