APT27HZTR-G1 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	800mW
Исполнение корпуса	TO-92
Base Part Number	APT27
Тип транзистора	NPN
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	800mA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	450V
Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic	500mV @ 40mA, 200mA
Обратный ток коллектора (Max)	10µA
Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce	6 @ 300mA, 10V
Трансформация частоты	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	800mW
Исполнение корпуса	TO-92
Base Part Number	APT27
Тип транзистора	NPN
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	800mA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	450V
Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic	500mV @ 40mA, 200mA
Обратный ток коллектора (Max)	10µA
Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce	6 @ 300mA, 10V
Трансформация частоты	-

APT27HZTR-G1

APT27HZTR-G1 характеристики