Каталог товаров
Назад

IRF7901D1

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC


IRF7901D1 характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия FETKY™
Part Status Obsolete
Упаковка Tube
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 2W
Исполнение корпуса 8-SO
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38 mOhm @ 5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 16V

Характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия FETKY™
Part Status Obsolete
Упаковка Tube
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 2W
Исполнение корпуса 8-SO
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38 mOhm @ 5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 16V

IRF7901D1

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
IRF7901D1
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на IRF7901D1. Транзисторы — полевые — массивы производства Infineon Technologies доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы IRF7901D1 купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
22 шт.
от 1091 ₽
+ 163650 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
83 шт.
от 892 ₽
+ 267600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 892 ₽
+ 267600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
29 шт.
от 671 ₽
+ 201300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
338 шт.
от 989 ₽
+ 296700 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
99 шт.
от 890 ₽
+ 267000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
340 шт.
от 658 ₽
+ 197400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 592 ₽
+ 177600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
348 шт.
от 658 ₽
+ 197400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
3070 шт.
от 594 ₽
+ 178200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
301 шт.
от 658 ₽
+ 197400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
23 шт.
от 594 ₽
+ 178200 баллов