Каталог товаров
Назад

IRF7902PBF

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC


IRF7902PBF характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия HEXFET®
Part Status Obsolete
Упаковка Tube
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 1.4W, 2W
Исполнение корпуса 8-SO
Base Part Number IRF7902PBF
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 6.4A, 9.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.25V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 15V

Характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия HEXFET®
Part Status Obsolete
Упаковка Tube
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 1.4W, 2W
Исполнение корпуса 8-SO
Base Part Number IRF7902PBF
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 6.4A, 9.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.25V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 15V

IRF7902PBF

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC
IRF7902PBF
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на IRF7902PBF. Транзисторы — полевые — массивы производства Infineon Technologies доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы IRF7902PBF купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
22 шт.
от 1091 ₽
+ 163650 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
83 шт.
от 892 ₽
+ 267600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 892 ₽
+ 267600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
29 шт.
от 671 ₽
+ 201300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
338 шт.
от 989 ₽
+ 296700 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
99 шт.
от 890 ₽
+ 267000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
340 шт.
от 658 ₽
+ 197400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 592 ₽
+ 177600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
348 шт.
от 658 ₽
+ 197400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
3070 шт.
от 594 ₽
+ 178200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
301 шт.
от 658 ₽
+ 197400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
23 шт.
от 594 ₽
+ 178200 баллов