IRF8010SPBF характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D2PAK
Рассеивание мощности (Макс)	260W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 45A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3830pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D2PAK
Рассеивание мощности (Макс)	260W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 45A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3830pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

IRF8010SPBF

IRF8010SPBF характеристики