PML340SN,118 характеристики	Выбрать все
Производитель	Nexperia USA Inc.
Серия	TrenchMOS™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-VDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN3333 (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	50W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	220V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	386 mOhm @ 2.6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	656pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Nexperia USA Inc.
Серия	TrenchMOS™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-VDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN3333 (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	50W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	220V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	386 mOhm @ 2.6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	656pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V

PML340SN,118

PML340SN,118 характеристики