PMN120ENEX характеристики	Выбрать все
Производитель	Nexperia USA Inc.
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-74, SOT-457
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-TSOP
Рассеивание мощности (Макс)	1.4W (Ta), 6.25W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	123 mOhm @ 2.4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	275pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Nexperia USA Inc.
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-74, SOT-457
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-TSOP
Рассеивание мощности (Макс)	1.4W (Ta), 6.25W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	123 mOhm @ 2.4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	275pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

PMN120ENEX

PMN120ENEX характеристики