SQJ500AEP-T1_GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	48W
Исполнение корпуса	PowerPAK® SO-8 Dual
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1850pF @ 20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	48W
Исполнение корпуса	PowerPAK® SO-8 Dual
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1850pF @ 20V

SQJ500AEP-T1_GE3

SQJ500AEP-T1_GE3 характеристики